ProgrammeProgramme de la conférence : Programme Les présentations seront données en français ou en anglais, au choix des orateurs. Les tranparents sont à rédiger en anglais
Conférence plénières Clément Merckling (IMEC, Belgique) : About the central role of materials exploration and crystal growth in advance and future electronic, photonic and quantum devices Judith Driscoll (Univ. Cambridge) : The potential for enhanced functional properties offered by vertically aligned nano composite films Eric Tournié (IES Montpellier) : MBE : some challenges and evolutions
Session I : Mécanimes de croissance Invité "oxydes" : Roman Engel-Herbert (Paul Drude Institute, Berlin) : Hybrid oxide MBE: possible pathway to achieve semiconductor grade complex oxide thin films? Invité "semiconducteurs" : Jean-Christophe Harmand (C2N Saclay) : Some mechanisms of III-V nanowire growth
Session II : Caractérisation structurale et fonctionnelle Invitée "oxydes" : Laura Bocher (LPS Orsay) : How will electron spectromicroscopy reveal "all the secrets" of your oxides down to the atomic scale? ... at least their structural, chemical, and electronic features Invité "semiconducteurs" : Julien Barjon (GEMaC Versailles) : Characterisation of defects in wide bandgap semiconductors
Session III : Ingénierie des propriétés par épitaxie Invité "oxydes" : Daniele Preziosi (IPCMS Strasbourg) : Stabilization of nickelate infinite-layer phase: from 'soft-chemistry' to 'soft-physics' Invité "semiconducteurs" : Fabrice Semond (CHREA Valbonne) : Niobium nitride, a newcomer to the III-nitride semiconductor family: Epitaxy of metal/semiconductor, semiconductor/superconductor hybrid heterostructures
Session IV : Hybridation Invitée "oxydes" : Valérie Demange (ISCR Rennes) : Oxide nanosheets as seed layers for growth of complex oxides Invité "semiconducteurs" : Charles Cornet (FOTON Rennes) : III-V/Si epitaxial growth and antiphase domains: a matter of symmetry
Session V : Des propriétés aux composants Invité "oxydes" : Vincent Garcia (CNRS-Thales Palaiseau) : Scanning probe microscopy for functional oxide thin films Invitée "semiconducteurs" : Maria Tchernycheva (C2N Saclay) : Nitride nanowire light emitting diodes: from single wire properties to device applications Invité "oxydes" : Guillaume Agnus (C2N Saclay) : Oxide thin films processing: some examples on how to take advantage of perovskite properties into devices Invité "semiconducteurs" : Maëva Fagot (IES Montpellier) : Mid-IR lasers grown on highly mismatched substrates
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